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三星3nm制程延期至2023年落后台积电一年

2021-07-14 17:45:40 来源:IT之家
三星3nm制程延期至2023年落后台积电一年

  IT之家7月14日消息2021年国产IP与定制芯片生产大会中,三星电子公开了自己的下一代芯片代工制程规划:3纳米制程将在2023年投产。然而,三星此前曾表示3纳米制程将在2022年投用。

  据三星解释,早先定于2022年投用的3纳米工艺是3GAE版本,即3nmgate-all-aroundearly,可以理解为3纳米工艺的试错版本。而三星在2023年推出的3纳米工艺是3GAP,即3nmgate-all-aroundplus,可以将其理解为3纳米工艺的强化版。

  此外据Digitimes分析,结合英特尔公司发布的芯片制程标准参数可知。台积电的3纳米工艺可以做到2.9亿颗/平方毫米,三星的3纳米工艺可以做到1.7亿颗/平方毫米。三星的3纳米制程指标甚至连英特尔的7纳米工艺都不如。

  不过Anandtech报道,对于3GAE没有出现在路线图中,但3GAP却出现了,三星的一位发言人回应称,三星一直在与客户探讨3GAE工艺,将在2022年如期量产。

  IT之家了解到,三星最初在2019年5月宣布其基于MBCFET的3GAE和3GAP节点。三星表示,与7LPP相比,3GAE的性能提高35%,功耗降低50%,面积减少45%。

  值得一提的是,上月底,三星宣布3nmGAA制程技术已经正式流片。据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nmFinFET架构。

  作为对比,台积电3纳米芯片将于2022年下半年开始量产。

原标题:三星3nm制程延期至2023年落后台积电一年

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